專利名稱： 晶體-取向陶瓷的制造方法以及陶瓷層壓材料的制造方法
公開（告）號(hào)： CN1830895
申請(qǐng)（專利）號(hào)： 200610059492.7
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： 門谷成;巖瀨昭夫
(申請(qǐng))專利權(quán)（人）： 株式會(huì)社電裝
內(nèi)容：（摘要）本發(fā)明提供了一種晶體-取向陶瓷的制備方法，該方法包括片料制備步驟，結(jié)晶-促進(jìn)層形成步驟和煅燒步驟。在片料制備步驟，制備生料片1。在結(jié)晶-促進(jìn)層形成步驟，形成包含結(jié)晶-促進(jìn)材料顆粒151 的結(jié)晶-促進(jìn)層15，以便其與生料片1接觸。在煅燒步驟，對(duì)生料片進(jìn)行煅燒。另外，本發(fā)明還提供-種陶瓷層壓材料的制備方法，該方法包括層壓材料-制備步驟和煅燒步驟。在層壓材料-制備步驟，制備其中堆疊有生料片和電極-印刷層的層壓材料。形成包含所述結(jié)晶-促進(jìn)材料顆粒的結(jié)晶-促進(jìn)層以便該促進(jìn)層與生料片接觸，所述結(jié)晶-促進(jìn)材料顆粒在煅燒期間使得多晶物質(zhì)中的晶粒生長(zhǎng)。在煅燒步驟，對(duì)所述層壓材料進(jìn)行煅燒。
主權(quán)項(xiàng)：一種晶體-取向陶瓷的制造方法，所述陶瓷由包含作為主要成分的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)(ABO3)的多晶物質(zhì)組成，并且其中構(gòu)成該多晶物質(zhì)的每個(gè)晶粒的晶面是取向的，該方法包括： 制造由壓電材料組成的生料片的片料制備步驟，所述生料片通過煅燒形成所述鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的所述多晶物質(zhì)， 形成包含結(jié)晶-促進(jìn)材料顆粒的結(jié)晶促進(jìn)層以便其與所述生料片接觸的結(jié)晶-促進(jìn)層形成步驟，所述結(jié)晶-促進(jìn)材料顆粒使得所述多晶物質(zhì)中的晶粒能夠在煅燒時(shí)生長(zhǎng)，和 通過對(duì)其上形成所述結(jié)晶-促進(jìn)層的所述生料片進(jìn)行煅燒制造所述晶體-取向陶瓷的煅燒步驟。
