專利名稱： 均勻沉淀－超臨界二氧化碳干燥法制備納米氧化鎂的方法
公開（告）號： CN1281498
申請（專利）號： CN200410155314.5
發(fā)明（設計）人： 王寶和;于才淵;張文博;張 偉
(申請)專利權(quán)（人）： 大連理工大學
內(nèi)容：（摘要）均勻沉淀—超臨界二氧化碳干燥法制備納米氧化鎂的方法屬于納米材料制備技術領域。主要內(nèi)容是在水溶液中采用均勻沉淀法制備氫氧化鎂沉淀，用乙醇置換出沉淀中的水，再采用超臨界CO2干燥法除去沉淀中的乙醇，乙醇經(jīng)分離器析出回收，CO2可以循環(huán)利用。高溫煅燒干燥后的氫氧化鎂得到納米級MgO粉體。該方法解決了制備納米粉體干燥時的團聚問題，并且操作工藝簡單，易于實現(xiàn)工業(yè)化。納米氧化鎂在陶瓷、搪瓷、醫(yī)學、化妝品、油漆、紙張和航空、軍事、量子器件、微電子學等領域有著廣泛的應用前景。
