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紅外倍頻硫系玻璃陶瓷及其制備方法
日期:2013-04-25

    專利名稱: 紅外倍頻硫系玻璃陶瓷及其制備方法
    公開(告)號: CN1837115
    申請(專利)號: 200610018763.4
    發(fā)明(設(shè)計)人: 陶海征;顧少軒;趙修建;肖海燕;董國平;
    (申請)專利權(quán)(人): 武漢理工大學
    內(nèi)容:(摘要)本發(fā)明屬于非線性光學玻璃材料及制備方法。紅外倍頻硫系玻璃陶瓷,其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制備而成,各原料所占摩爾%為:GeS250~90%,Ga2S35~25%, CdS 5~25%,各原料含量之總和為100摩爾%。其制備方法是:首先制備出硫系玻璃,而后在略高于玻璃轉(zhuǎn)變溫度和遠低于玻璃晶化溫度的范圍內(nèi)進行熱處理,有效控制玻璃的核化和晶化過程,析出大量亞微米量級尺寸均勻的紅外倍頻晶體,從而制備出具有透紅外和倍頻功能的硫系玻璃陶瓷。該紅外倍頻硫系玻璃陶瓷具有寬的透過窗口(0.45~12μm)。本發(fā)明的方法具有工藝簡單、生產(chǎn)周期短和易于制備出大尺寸樣品等優(yōu)點。
    主權(quán)項:紅外倍頻硫系玻璃陶瓷,其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制備而成,各原料所占摩爾%為:GeS250~90%,Ga2S35~25%,CdS5~25%,各原料含量之總和為100摩爾%。

上一條:粉末的制造方法、該粉末以及使用該粉末的多層陶瓷電容器
下一條:陶瓷材料及其制造方法
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